[实用新型]集成式单向超低电容TVS器件

摘要

本实用新型提供一种集成式单向超低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，构成二极管D2；沟槽贯穿所述第二导电类型外延层的沟槽，形成了第一区域、第二区域及第三区域；位于第一区域中的第一导电类型隔离，其与第一导电类型衬底相连；位于第一区域中的第二导电类型注入区，其与所述第一导电类型隔离相连，构成二极管Z1；位于第二区域中的第一导电类型注入区，构成二极管D1；及连接所述二极管Z1及二极管D1的第一金属线，连接所述二极管D1及二极管D2的第二金属线。从而避免封装缺陷，提高器件质量。

主权项

一种集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；形成于所述第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层；形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，所述第一导电类型外延层与第二导电类型外延层构成二极管D2；沟槽，所述沟槽贯穿所述第二导电类型外延层，并在所述第二导电类型外延层中形成了第一区域、第二区域及第三区域；形成于所述第一区域中的第一导电类型隔离，所述第一导电类型隔离与所述第一导电类型衬底相连；形成于所述第一区域中的第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离相连，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离构成二极管Z1；形成于所述第二区域中的第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区与第二导电类型外延层构成二极管D1；及连接所述二极管Z1及二极管D1的第一金属线，连接所述二极管D1及二极管D2的第二金属线。