[实用新型]集成式单向超低电容TVS器件

权利要求书

1.一种集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底；

形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；

形成于所述第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层；

形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，所述第一导电类型外延层与第二导电类型外延层构成二极管D2；

沟槽，所述沟槽贯穿所述第二导电类型外延层，并在所述第二导电类型外延层中形成了第一区域、第二区域及第三区域；

形成于所述第一区域中的第一导电类型隔离，所述第一导电类型隔离与所述第一导电类型衬底相连；

形成于所述第一区域中的第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离相连，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离构成二极管Z1；

形成于所述第二区域中的第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区与第二导电类型外延层构成二极管D1；及

连接所述二极管Z1及二极管D1的第一金属线，连接所述二极管D1及二极管D2的第二金属线。

2.如权利要求1所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽的深度为10μm～20μm、截面宽度为1.5μm～3.0μm。

3.如权利要求2所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽中填充有多晶硅，形成了隔离结构。

4.如权利要求1所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第二区域及第三区域中均形成有第二导电类型注入区，所述第二区域及第三区域中形成的第二导电类型注入区均作为欧姆接触层。

5.如权利要求4所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，在所述第二区域中形成的第二导电类型注入区为梳齿型结构。

6.如权利要求5所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，在所述第二区域中形成的第一导电类型注入区为梳齿型结构。

7.如权利要求6所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，在所述第二区域中形成的梳齿型结构的第二导电类型注入区的梳齿与在所述第二区域中形成的梳齿型结构的第一导电类型注入区的梳齿相互交错。

8.如权利要求1所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型、所述第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型、所述第二导电类型为P型。

9.如权利要求1～8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底的电阻率为0.005Ω.cm～0.2Ω.cm。

10.如权利要求1～8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层的电阻率为2.0Ω.cm～4.0Ω.cm，所述第一导电类型外延层的厚度为6.0μm～14.0μm。

11.如权利要求1～8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第二导电类型外延层的电阻率为25Ω.cm～35Ω.cm，所述第二导电类型外延层的厚度为6.0μm～12.0μm。

12.如权利要求1～8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述二极管Z1的击穿电压为3.3V～7.0V。

13.如权利要求1～8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底为地端，所述第二金属线与电源端连接。