[实用新型]一种芯片结构有效
| 申请号： | 201320400078.3 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203398108U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 乔爱国 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯海科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种芯片结构。本实用新型所提供的芯片结构包括设有第一电极的衬底以及多个子模块，每个子模块包括设有第二电极的深N阱与设有第三电极的P阱。该芯片结构通过将易受其它电路模块所产生的电磁辐射干扰的电路模块与易产生电磁辐射的电路模块分别安置于不同的深N阱中，避免不同电路模块通过衬底接触，并对各个电路模块采用独立的电源系统，故而可避免同一电源系统内的不同电路模块所产生的电流串扰，同时进一步将衬底外接一独立地线，建立衬底与理想地之间的最低阻抗的连接，隔离不同的深N阱，从而避免了芯片内部不同电路模块之间电磁干扰。整个芯片结构具有结构简单、成本低以及效果明显的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片结构，包括衬底，所述衬底包括两个或两个以上子模块，其特征在于，所述两个或两个以上子模块中的每个子模块包括： 设于所述衬底内的采用N型半导体材料的深N阱； 设于所述深N阱内的采用P型半导体材料的P阱； 设于所述深N阱与P阱内的电路模块； 设于所述衬底内的第一电极； 设于所述深N阱内的第二电极； 设于所述P阱内的第三电极； 所述第一电极外接一独立地线，所述第二电极外接一独立电源，所述第三电极外接所述独立电源的电源地。
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