[实用新型]一种小功率场效应对管有效
| 申请号： | 201320342944.8 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203367273U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 廖颖;王志伟 | 申请（专利权）人： | 江西联创特种微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/14 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人： | 姚伯川 |
| 地址： | 330012 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种小功率场效应对管，包括器件芯柱、芯片、过渡片、管帽，所述器件芯柱上设置二套源极、漏极、栅极极柱结构，二套极柱结构分布在器件芯柱端面二侧；过渡片通过焊料粘结在器件芯柱端面的中部，二块芯片互相隔开通过焊料粘结在过渡片上；二块芯片上的源极、漏极、栅极通过连接引线分别与器件芯柱上的二套源极S、漏极D、栅极G相连。本实用新型利用硅单晶片+二氧化硅掩膜作为过渡片，可进一步保证器件的稳定性和可靠性。本实用新型适用于封装小型化的电子线路之中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 场效应 | ||
【主权项】：
一种小功率场效应对管，包括器件芯柱、芯片、管帽，其特征在于，所述对管还包括过渡片，所述器件芯柱上设置二套源极、漏极、栅极极柱结构，二套极柱结构分布在器件芯柱端面二侧；过渡片通过焊料粘结在器件芯柱端面的中部，二块芯片互相隔开通过焊料粘结在过渡片上；二块芯片上的源极、漏极、栅极通过连接引线分别与器件芯柱上的二套源极S、漏极D、栅极G相连。
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