[实用新型]一种小功率场效应对管有效
| 申请号： | 201320342944.8 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203367273U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 廖颖;王志伟 | 申请（专利权）人： | 江西联创特种微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/14 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人： | 姚伯川 |
| 地址： | 330012 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种小功率场效应对管，包括器件芯柱、芯片、管帽，其特征在于，所述对管还包括过渡片，所述器件芯柱上设置二套源极、漏极、栅极极柱结构，二套极柱结构分布在器件芯柱端面二侧；过渡片通过焊料粘结在器件芯柱端面的中部，二块芯片互相隔开通过焊料粘结在过渡片上；二块芯片上的源极、漏极、栅极通过连接引线分别与器件芯柱上的二套源极S、漏极D、栅极G相连。
2.根据权利要求1所述的一种小功率场效应对管，其特征在于，所述芯片与器件芯柱相应极柱的连接：一块芯片的源极接器件芯柱端面上的源极S1（6），芯片上的漏极接器件芯柱端面上的漏极D1（8），芯片上的栅极接器件芯柱端面上的栅极G1（7）极；另一块芯片的源极接器件芯柱端面上的源极S2（11），芯片上的漏极接器件芯柱端面上的漏极D2（9），芯片上的栅极接器件芯柱端面上的栅极G2（10）极；通过超声键合工艺分别对应与之进行引线连接。
3.根据权利要求1所述的一种小功率场效应对管，其特征在于，所述过渡片是在硅单晶片（2）上生长一层二氧化硅掩膜。
4.根据权利要求3所述的一种小功率场效应对管，其特征在于，所述二氧化硅膜膜厚为10000-12000埃米。
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