[实用新型]一种小功率场效应对管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种小功率场效应对管，属半导体场效应对管技术领域。 

背景技术

场效应管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单等特点。在环境条件（温度等）变化很大的情况下大多选用场效应管，因此它被广泛地应用于各种控制线路中。场效应对管就是把两个电参数性能（特性曲线、噪声等）几乎一致的场效应管制作在同一个基座上，这种制作方式可以在很大的程度上抵消掉晶体管本身的噪声，抵消掉温度影响造成的零点漂移，防止非线性失真等。 

基于场效应对管的以上优势，根据一些特殊要求，设计一种好的小功率场效应对管以提高产品的安全性和可靠性，并达到某些特定的效果更是很有必要。 

发明内容

本实用新型的目的是，针对场效应对管传统装配方式存在的缺陷，本实用新型设计一种满足特殊性能要求的小功率对管。 

本实用新型的技术方案是，本实用新型在器件芯柱上设置二套源极S、漏极D、栅极G结构，并在器件芯柱与芯片之间增加一块由硅单晶片和二氧化硅膜制成的过渡片；芯片通过焊料粘结在过渡片（3）上，过渡片通过焊料（5）粘结在芯柱端面上；二块芯片（4）的源极S、漏极D、栅极G分别与芯柱端面两侧对应的源极S、漏极D、栅极G进行引线连接。 

本实用新型小功率场效应对管由器件芯柱、芯片、过渡片、管帽组成。器件芯柱由芯柱底盘、绝缘材料、极柱组成并烧结成一体；器件芯柱上设置二套S（源极）、D（漏极）、G（栅极）极柱结构，二套极柱结构分布在器件芯柱端面二侧；过渡片通过焊料粘结在器件芯柱端面的中部，二块芯片互相隔开通过焊料粘结在过渡片上。二块芯片上的源极、漏极、栅极通过连接引线分别与器件 芯柱上的二套源极S、漏极D、栅极G相连。 

本实用新型采用的过渡片是硅单晶片+二氧化硅掩膜过渡片，其制备方法是在硅单晶片的表面通过化学沉积生长一层均匀致密的二氧化硅膜，其膜厚约为10000-12000埃米。 

本实用新型与现有技术比较的有益效果是，本实用新型利用硅单晶片+二氧化硅掩膜作为过渡片，其好处在于：一方面，利用硅单晶片上生长的二氧化硅膜绝缘的特性将两个芯片的下引栅与器件芯柱绝缘，再用上引栅与器件芯柱外引线进行导通；另一方面，硅单晶片耐高温且和芯片的膨胀系数相同，可进一步保证器件的稳定性和可靠性；加之TO-71型芯柱的S、D、G极柱头略高，而芯片高度略低，使用过渡片装配可减少芯柱柱头和芯片之间的高度差，进而能大大的提高超声键合工序的质量。 

本实用新型小功率场效应对管具有体积小，重量轻的特点，适用于封装小型化的电子线路之中。 

附图说明

图1为本实用新型场效应对管装配的俯视图； 

图2为本实用新型场效应对管装配的剖视图； 

图3为硅单晶片+二氧化硅膜过渡片结构示意图； 

图中图号为：1是二氧化硅掩膜；2是硅单晶片；3是过渡片；4是芯片；5是焊料；6是源极S1；7是栅极G1；8是漏极D1；9是漏极D2；10是栅极G2；11是源极S2；12是芯柱底盘；13是绝缘体。 

具体实施方式

本实用新型以TO-71场效应对管为实施例。 

实施例TO-71场效应对管的结构主要包括器件芯柱、过渡片3和芯片4三个部分。 

器件芯柱是由芯柱底盘12，绝缘材料13和极柱6、7、8、9、10、11在高温条件融合形成的整体。 

器件芯柱为TO-71的对管结构，如图1所示。它分为两个S、D、G结构，一套为源极S1、漏极D1和栅极G1；另一套为源极S2、漏极D2和栅极G2，两套S、D、G结构分布在器件芯柱端面二侧，芯柱端面中央放置芯片4。 

在芯柱端面中央位置，用焊料5将芯柱端面和过渡片(硅单晶片+二氧化硅掩膜)3的硅单晶片面2粘接在一起；再用焊料将两个电参数性能一致的两块芯片4和过渡片3的二氧化硅掩膜面1进行粘接；在芯柱上装配的两块芯片4；一块芯片的源极接器件芯柱端面上的源极S1（6），芯片上的漏极接器件芯柱端面上的漏极D1（8），芯片上的栅极接器件芯柱端面上的栅极G1（7）极；另一块芯片的源极接器件芯柱端面上的源极S2（11），芯片上的漏极接器件芯柱端面上的漏极D2（9），芯片上的栅极接器件芯柱端面上的栅极G2（10）极；通过超声键合工艺分别对应与之进行引线连接，以完成内外引线的连接工作。 

过渡片为硅单晶片+二氧化硅掩膜结构，见图3。它是在硅单晶片2的表面生长一层均匀致密的二氧化硅膜1，其膜厚约为10000-12000埃米。