[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320248749.9 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN203232867U | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 高柳浩二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例涉及半导体器件。根据本实用新型的半导体器件包括：通孔，形成为穿透半导体衬底；第一缓冲器电路和第二缓冲器电路；布线形成层，形成在所述半导体衬底的上层中；连接布线部分，假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向，则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部，所述连接布线部分在芯片内端面上，该芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面；第一路径，连接所述第一缓冲器电路和所述通孔；以及第二路径，连接所述第二缓冲器电路和所述通孔。所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：通孔，形成为穿透半导体衬底；第一缓冲器电路和第二缓冲器电路；布线形成层，形成在所述半导体衬底的上层中；连接布线部分，假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向，则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部，所述连接布线部分形成在所述通孔的芯片内端面上，所述芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面；第一路径，连接所述第一缓冲器电路和所述通孔；以及第二路径，连接所述第二缓冲器电路和所述通孔，其中所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接。
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