[实用新型]一种上电复位电路有效
| 申请号: | 201320183889.2 | 申请日: | 2013-04-13 |
| 公开(公告)号: | CN203166853U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
| 发明(设计)人: | 金湘亮;彭伟娣 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 湘潭市汇智专利事务所 43108 | 代理人: | 颜昌伟 |
| 地址: | 411105*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种上电复位电路,包括脉冲产生模块、延时整形模块和正反馈模块,所述脉冲产生模块通过低电源上电和反相器翻转产生脉冲信号,所述整形延时模块通过级联反相器整形和电容延时,所述正反馈模块通过复位信号自身反馈加强复位动作的稳定性。本实用新型设有第一反相器,第一NMOS管的漏极电压达到第一反相器的翻转电平,则第一反相器进行翻转,第一PMOS管的栅极电压从低电平变成高电平,从而第一PMOS管变成截止状态,第一PMOS管的漏极电压从高转为低,并通过第二反相器、第五反相器、第六反相器输出复位信号,通过调节第一反相器的翻转电压就可以设置复位电路的起拉电压,电路中电容的大小可以设置复位电路的复位时间。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 复位 电路 | ||
【主权项】:
一种上电复位电路,包括脉冲产生模块、延时整形模块和正反馈模块,其特征在于:所述脉冲产生模块包括:第一NMOS管(37)、第二NMOS管(39),所述第一NMOS管(37)的栅极与第二NMOS管(39)的栅极连接,源极接低电源,漏极与第一反相器(34)的输入端连接,所述第二NMOS管(39)的源极接低电源;第一PMOS管(32),所述第一PMOS管(32)的栅极与第一反相器(34)的输出端连接,其源极接地,漏极与所述第二NMOS管(39)的漏极连接;所述正反馈模块包括:第二PMOS管(36)、第三PMOS管(41),所述第二PMOS管(36)的栅极与第三PMOS管(41)的栅极连接,其源极接地,漏极与第一NMOS管(37)的漏极相连,所述第三PMOS管(41)的源极接地,漏极与第二反相器(49)的输入端连接;第三反相器(48),其输入端接低电源,输出端与第二PMOS管(36)的栅极相连;与非门(46),其有两个输入端,一个输入端连接所述第二反相器(49)的输出端,另一个输入端连接所述第三反相器(48)的输出端,其输出端与第四反相器(45)的输入端连接;第三NMOS管(42)、第四NMOS管(44),第三NMOS管(42)的栅极与第四NMOS管(44)的栅极相连,其源极接低电源,漏极与第一反相器(34)的输入端连接,第四NMOS管(44)的栅极连接第四反相器(45)的输出端,其源极接低电源,漏极连接第二反相器(49)的输入端;所述延时整形模块包括:第二反相器(49)、第五反相器(50)、第六反相器(51),所述第二反相器(49)、第五反相器(50)、第六反相器(51)依次串接,第二反相器(49)的输入端与第一PMOS管(32)的漏极相连;第一电容(30),其一端连接第二反相器(49)的输入端,另一端与第四PMOS管(29)的漏极连接,所述第四PMOS管(29)的源极接地,栅极与第五PMOS管(31)的栅极连接,所述第五PMOS管(31)的源极接地,漏极与第四PMOS管(29)的漏极连接;第二电容(33),其一端接低电源,另一端连接所述第一PMOS管(32)的栅极;第三电容(35),其一端接地,另一端连接所述第一NMOS管(37)的漏极;第四电容(38),其一端接低电源,另一端与所述第一NMOS管(37)的栅极连接;第五电容(40),其一端接低电源,另一端与所述第二PMOS管(36)的栅极连接;第六电容(43),其一端接低电源,另一端与所述第三NMOS管(42)的栅极连接;第七电容(47),其一端接低电源,另一端与第二反相器(49)的输出端连接。
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