[发明专利]包括压缩应力的封装垂直功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310757085.3 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855122B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | R·奥特伦巴 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括压缩应力的封装垂直功率器件及其制造方法。公开了一种包括压缩应力的封装的垂直半导体器件及制作这种封装的垂直半导体器件的方法。在一个实施例中，组装的器件包括载体；设置在该载体上的连接层，该连接层具有第一高度；以及设置在该连接层上的芯片，该芯片具有第二高度，其中该第二高度小于该第一高度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 压缩 应力 封装 垂直 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种组装的器件，包括：载体；设置在该载体上的连接层，该连接层包括第一高度；以及设置在该连接层上的芯片，该芯片包括第二高度，其中所述芯片包括沿着整个第二高度的压缩应力，其中该第二高度小于该第一高度，并且其中该第二高度等于或小于40μm。
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