[发明专利]非易失性存储器装置及其操作和制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器装置及其操作和制造方法。第一字符线和第二字符线设置在基底上，周期性地布置且在第一方向上延伸。第一多晶硅层间介电膜设置在基底上且分别位于第一字符线下方。第二多晶硅层间介电膜设置在基底上且分别位于第二字符线下方，其中第一多晶硅层间介电膜比第二多晶硅层间介电膜薄。浮置栅极设置在基底与第一多晶硅层间介电膜和第二多晶硅层间介电膜中的每一者之间。穿隧氧化物膜设置在基底与浮置栅极中的每一者之间。比特线设置在第一字符线和第二字符线上方，且沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

主权项

一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：一井区，设置在一基底中；多条第一字符线和多条第二字符线，设置在所述基底上，周期性地布置且在一第一方向上延伸；多个多晶硅层间介电膜，设置在所述基底上且分别位于所述多条第一字符线和所述多条第二字符线下方；多个浮置栅极，设置在所述井区与所述多个多晶硅层间介电膜之间；以及多个穿隧氧化物膜，设置在所述井区与所述多个浮置栅极之间，其中从所述第一字符线到所述基底的一第一距离小于从所述第二字符线到所述基底的一第二距离。