[发明专利]铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201310750416.0 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103668458A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 代丽;焦珊珊;徐超;林家齐;李大勇;代旭;郝树伟;王喜明 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B33/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成。方法：一、混合六种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体是三方晶系单晶，晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 铪钕镱铥四 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体，其特征在于它由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成；其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946:1，Tm2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%，Yb2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%～2.5%，Nd2O3的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0.05%，HfO2的掺杂摩尔量占六种原料总摩尔量的0%～6%。
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