[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310745826.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752610A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供基底；在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极材料层；在所述绝缘层和伪栅极材料层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；在所述通孔内壁表面形成沟道层；去除伪栅极材料层，形成凹槽；在所述凹槽内壁表面形成功能层；在所述功能层表面形成栅极层，所述栅极层填充满所述凹槽。上述方法可以提高形成的半导体结构的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极材料层；在所述绝缘层和伪栅极材料层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；在所述通孔内壁表面形成沟道层；去除伪栅极材料层，形成凹槽；在所述凹槽内壁表面形成功能层；在所述功能层表面形成栅极层，所述栅极层填充满所述凹槽。
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