[发明专利]封装层被覆光半导体元件、其制造方法和光半导体装置在审
| 申请号： | 201310743032.6 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103915554A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 片山博之;野吕弘司;伊藤久贵 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及封装层被覆光半导体元件、其制造方法和光半导体装置。所述封装层被覆光半导体元件的制造方法具备下述工序：配置工序，将封装层配置于支撑台的厚度方向的一侧；以及被覆工序，在配置工序之后，通过封装层以露出光半导体元件的一侧的表面的方式对其进行被覆，得到封装层被覆光半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 被覆 半导体 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种封装层被覆光半导体元件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：配置工序，将封装层配置于支撑台的厚度方向的一侧；以及，被覆工序，在所述配置工序之后，通过所述封装层以露出光半导体元件的一侧的表面的方式对其进行被覆，得到封装层被覆光半导体元件。
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