[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310741171.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103904109B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金子贵昭;砂村润;林喜宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/772;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基础逻辑元件，所述基础逻辑元件形成于衬底之上；以及底栅型晶体管，所述底栅型晶体管包括半导体层、栅极绝缘膜、和形成于铝布线之上的作为栅电极的抗反射膜，所述栅极绝缘膜在所述半导体层下面，所述栅电极位于所述栅极绝缘膜下面，其中，所述底栅型晶体管形成于在所述基础逻辑元件之上所形成的布线层中，并且至少部分地与所述基础逻辑元件重叠。
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