[发明专利]氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310721515.6 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103730555A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;刘晓峰;张东炎;张洁;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一氮化物半导体发光器件，至少包含：衬底；由氮化物半导体分别形成的n型层、发光层和p型层依次叠层于所述衬底之上；电流扩展层，其具有由两层以上u型氮化物半导体层叠层而成的多层结构，在所述各u型氮化物半导体层之间的界面处形成n型掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×1018cm-3。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
氮化物半导体发光器件，包含：衬底，由氮化物半导体分别形成的n型层、发光层和p型层依次叠层于所述衬底之上；其特征在于：还包括电流扩展层，其具有至少由两层u型氮化物半导体层叠层而成的多层结构，在所述各u型氮化物半导体层之间的界面处形成n型掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×1018cm‑3。
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