[发明专利]等离子体刻蚀系统的阻抗匹配方法有效
申请号: | 201310705224.8 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103632927A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 崔强;叶如彬;徐蕾;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 种等离子体刻蚀系统的阻抗匹配方法,所述阻抗匹配方法包括:提供等离子体刻蚀系统,所述等离子体刻蚀系统包括:阻抗匹配器,所述阻抗匹配器的输入端与源电源和偏置电源电连接,阻抗匹配器的输出端与反应腔电连接,所述阻抗匹配器和源电源的连接端与电压-电流探测器的一端电连接,所述电压-电流探测器另一端通过频率调整控制单元与源电源连接;源电源和偏置电源同时工作在连续功率模式下,调整源电源的频率,获得第一匹配频率;将偏置电源转变为脉冲功率模式,将第一匹配频率作为偏置电源脉冲开启状态下的源电源的基准频率;在所述偏置电源由脉冲开启状态转变为脉冲关闭状态时,以基准频率为基准,增大或减小源电源的频率获得第二匹配频率。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 刻蚀 系统 阻抗匹配 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体刻蚀系统的阻抗匹配方法,其特征在于,包括:提供等离子体刻蚀系统,所述等离子体刻蚀系统包括:阻抗匹配器,所述阻抗匹配器的输入端与源电源和偏置电源电连接,所述阻抗匹配器的输出端与反应腔电连接,所述阻抗匹配器和源电源的连接端与电压‑电流探测器的一端电连接,所述电压‑电流探测器另一端通过频率调整控制单元与源电源连接;源电源和偏置电源同时工作在连续功率模式下,调整源电源的频率使所述源电源阻抗与匹配器输入端阻抗匹配,获得第一匹配频率;将所述偏置电源转变为脉冲功率模式,所述脉冲功率模式包括脉冲开启状态和脉冲关闭状态,所述脉冲开启状态的功率与连续功率模式下的功率相同,所述脉冲关闭状态的功率小于所述脉冲开启状态的功率,将所述第一匹配频率作为偏置电源脉冲开启状态下的源电源的基准频率;在所述偏置电源由脉冲开启状态转变为脉冲关闭状态时,以所述基准频率为基准,增大或减小所述源电源的频率使所述源电源阻抗与匹配器输入端阻抗匹配,获得源电源的第二匹配频率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造