[发明专利]一种嵌入闪存栅极的制作方法

摘要

本发明公开了一种嵌入闪存栅极的制作方法，根据本发明的方法在闪存单元区域中依次形成作为字线栅极的多晶硅层和作为虚拟栅极的非晶硅层，采用化学机械研磨工艺完全去除所述非晶硅层，以形成嵌入式闪存结构，最终提高嵌入闪存的整体的性能和嵌入闪存的良品率。

主权项

一种嵌入闪存栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有逻辑电路区域和闪存单元区域，以及位于所述半导体衬底上所述闪存单元区域中的栅极堆栈结构；在所述半导体衬底上沉积第一栅极材料层，其中位于所述逻辑电路区域中的所述第一栅极材料层用于形成逻辑电路栅极，位于所述闪存单元区域中的所述第一栅极材料层用于形成位线；在所述第一栅极材料层上形成第二栅极材料层；平坦化所述第二栅极材料和所述第一栅极材料层，以露出所述栅极堆栈结构的顶部；继续平坦化所述第二栅极材料层，以完全去除所述第二栅极材料层；其中，所述第二栅极材料层比所述第一栅极材料层的硬度小，以提高所述嵌入闪存栅极的整体性能和良率。