[发明专利]集成电路组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310673831.0 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103762236A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡明桓;欧阳晖;郑振辉;范玮寒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种集成电路组件及此集成电路组件的制造方法。所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形成一凹陷于基材中的蚀刻工艺期间作为蚀刻终止，此凹陷定义出此组件的源极与漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路组件，其特征在于，包含：一半导体基材；一栅极堆叠，位于所述半导体基材上方；另一栅极堆叠，位于所述半导体基材上方；多个间隙壁，位于所述栅极堆叠的多个侧壁上；一轻掺杂源极与漏极区，位于所述半导体基材中，且所述轻掺杂源极与漏极区位于所述栅极堆叠的两侧；另一轻掺杂源极与漏极区，位于所述半导体基材中且邻设于所述另一栅极堆叠；一磊晶成长源极与漏极区，位于所述半导体基材中，所述磊晶成长源极与漏极区位于所述栅极结构的两侧，且部分位于所述间隙壁的下方，其中所述磊晶成长源极与漏极区中的磊晶源极区与磊晶漏极区均由朝一第一方向的所述半导体基材的一第一刻面与一第二刻面、以及朝一第二方向的所述半导体基材的一第三刻面所定义出；以及一抬升的磊晶成长源极与漏极区，位于所述半导体基材中，所述抬升的磊晶成长源极与漏极区形成于所述另一轻掺杂源极与漏极区的上方。
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