[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310673666.9 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701145B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲膜；在所述牺牲膜表面形成隔离膜；在所述隔离膜表面形成底层抗反射层、以及位于底层抗反射层表面的光刻胶层，所述光刻胶层暴露出部分底层抗反射层表面；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述底层抗反射层、隔离膜和牺牲膜，直至暴露出待刻蚀层表面为止，形成隔离层和牺牲层；去除所述隔离层，使所述底层抗反射层自牺牲层的顶部表面剥离。所形成的半导体结构的形貌良好。 | ||
| 搜索关键词： | 底层抗反射层 半导体结构 待刻蚀层 光刻胶层 牺牲膜 隔离层 隔离膜 牺牲层 形貌 隔离膜表面 表面形成 顶部表面 暴露 刻蚀 去除 掩膜 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲膜，所述牺牲膜的材料为无定形碳；在所述牺牲膜表面形成隔离膜，所述隔离膜的材料为氧化锗，所述隔离膜的形成温度为10摄氏度～400摄氏度；在所述隔离膜表面形成底层抗反射层、以及位于底层抗反射层表面的光刻胶层，所述光刻胶层暴露出部分底层抗反射层表面，所述底层抗反射层的材料为含碳氧元素的有机材料；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述底层抗反射层、隔离膜和牺牲膜，直至暴露出待刻蚀层表面为止，形成隔离层和牺牲层；去除所述隔离层，使所述底层抗反射层自牺牲层的顶部表面剥离，去除所述隔离层的工艺为湿法刻蚀工艺，刻蚀液为去离子水或含有去离子水的化学溶液，所述湿法刻蚀工艺的温度为0摄氏度～100摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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