[发明专利]一种用于晶体生长炉冷却水量调节的控制装置有效
| 申请号： | 201310669546.1 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103741218A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨敏;黄小卫;赵慧彬 | 申请（专利权）人： | 福建鑫晶精密刚玉科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B35/00;F27D9/00;F27D19/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展 |
| 地址： | 364000 福建省龙岩市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种用于晶体生长炉冷却水量调节的控制装置，其特征在于，包括一个储水体、流量监测设备与流量调节设备；所述储水体内设储水腔体，所述储水体设一接通储水腔体的总进水口和多个都接通储水腔体的出水口，所述每一出水口都装设有流量监测设备和流量调节设备；通过对晶体生长炉中的氧化铝熔夜表面流速的观测，控制流量监测设备和流量调节设备，以达到对各个出水口的冷却水流量的精确调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 冷却 水量 调节 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种用于晶体生长炉冷却水量调节的控制装置，其特征在于，包括一个储水体、流量监测设备与流量调节设备；所述储水体内设储水腔体，所述储水体设一接通储水腔体的总进水口和多个都接通储水腔体的出水口，所述每一出水口都装设有流量监测设备和流量调节设备；通过对晶体生长炉中的氧化铝熔夜表面流速的观测，控制流量监测设备和流量调节设备，以达到对各个出水口的冷却水流量的精确调节。
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