[发明专利]电熔丝结构及其形成方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201310655162.4 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701296B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电熔丝结构及其形成方法和半导体器件，其中电熔丝结构包括：基底，在基底中形成有浅沟槽隔离结构；电熔丝，电熔丝包括熔丝、第一阳极和第一阴极，第一阳极和第一阴极分别位于熔丝两端且分别与熔丝两端连接，熔丝具有熔断区，熔断区两侧的电熔丝部分位于浅沟槽隔离结构上；位于所述熔丝下的第一加热单元，所述第一加热单元包括：第二阳极、第二阴极、第二阳极和第二阴极之间的加热区，所述加热区和所述熔断区相对且在所述加热区和所述熔断区之间具有绝缘层。本技术方案的第一加热单元的加热区对熔丝的熔断区进行补充加热，降低了熔断电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的电熔丝，所述电熔丝包括熔丝、第一阳极和第一阴极，所述第一阳极和第一阴极分别位于所述熔丝两端且分别与所述熔丝两端连接，所述熔丝具有熔断区；位于所述熔丝下的第一加热单元，所述第一加热单元包括：第二阳极、第二阴极、第二阳极和第二阴极之间的加热区，所述加热区和所述熔断区相对且在所述加热区和所述熔断区之间具有绝缘层；且电熔丝的第一阴极与第一晶体管的漏极电连接，第一加热单元的第二阴极和第二晶体管的漏极电连接，第一晶体管的源极、第二晶体管的源极接地；电熔丝的第一阳极和第一加热单元的第二阳极被施加电压VP，第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极施加栅电压VG，栅电压VG使第一晶体管和第二晶体管导通，电熔丝和第一加热单元在电压VP的作用下，产生由第一阳极流向第一阴极的熔断电流，和第二阳极流向第二阴极的加热电流，熔断电流使熔丝的熔断区产生热量，加热电流产生的热量对熔丝的熔断区进行补充加热，在所述熔断区产生热量和所述加热区产生的热量共同作用下，使所述熔断区熔断。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310655162.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
