[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310648419.3 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN103646924A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 刘凤娟;王美丽;张立;闫梁臣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/423
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李迪
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及显示技术领域,公开了一种TFT阵列基板及其制备方法、以及包括该TFT阵列基板的显示装置,本发明的栅极形成在第一绝缘层的栅极凹槽内,使得栅极被第一绝缘层所包围,图形化的栅极不存在坡度,第一绝缘层将栅极与外界隔离,可防止栅绝缘层的断层,进而有效阻挡薄膜晶体管阵列基板中的铜扩散。进一步地,金属阻挡层完全覆盖复合铜金属或包含铜金属的复合薄膜层的上表面和/下表面,能够起到很好的阻挡铜扩散的作用,同时更重要的是不需要对铜进行刻蚀,降低了成本、提高了良品率。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在基板上形成第一绝缘层,并在所述第一绝缘层上形成第一光刻胶层,在形成有第一光刻胶层的第一绝缘层上形成栅极凹槽,所述栅极凹槽的周围被第一绝缘层包围;在具有栅极凹槽的基板上形成栅极层;将形成有栅极层的基板上的第一光刻胶层及第一光刻胶层以上的栅极层剥离,以形成被第一绝缘层包围的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310648419.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top