[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上形成第一光刻胶层，在形成有第一光刻胶层的第一绝缘层上形成栅极凹槽，所述栅极凹槽的周围被第一绝缘层包围；

在具有栅极凹槽的基板上形成栅极层；

将形成有栅极层的基板上的第一光刻胶层及第一光刻胶层以上的栅极层剥离，以形成被第一绝缘层包围的栅极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，

在形成由第一绝缘层包围的栅极的基板上依次形成栅极绝缘层、有源层、第二绝缘层；

并在所述第二绝缘层上形成第二光刻胶层，在形成有第二光刻胶层的第二绝缘层上形成源极凹槽和漏极凹槽，所述源极凹槽和漏极凹槽的周围被第二绝缘层包围，部分有源层露出；

在具有源极凹槽和漏极凹槽的基板上形成源漏极层；

将形成有源漏极层的基板上的第二光刻胶层及第二光刻胶层以上的源漏极层剥离，以形成被第二绝缘层包围的源极和漏极；所述源极和漏极接触所述有源层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述在形成有第一光刻胶层的第一绝缘层上形成栅极凹槽的步骤包括：

通过曝光、显影，形成第一光刻胶层保留区和第一光刻胶层去除区；

刻蚀第一绝缘层，第一光刻胶层去除区的第一绝缘层被刻蚀，形成所述栅极凹槽；

或者，

所述在形成有第二光刻胶层的第二绝缘层上形成源极凹槽和漏极凹槽，所述源极凹槽和漏极凹槽的周围被第二绝缘层包围，部分有源层露出的步骤包括：

通过曝光、显影，形成第二光刻胶层保留区和第二光刻胶层去除区；

刻蚀第二绝缘层，第二光刻胶层去除区的第二绝缘层被刻蚀，形成所述源极凹槽和漏极凹槽。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，

形成所述栅极层的厚度与所述栅极凹槽的深度相同；

形成所述源漏极层的厚度与所述源极凹槽和漏极凹槽的深度相同。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述形成栅极层和/或形成源漏极层的步骤包括：

形成金属层或者形成金属导电复合层。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述形成金属导电复合层的步骤包括：

形成铜金属薄膜或者形成包含铜金属的合金薄膜；

以及形成至少一层位于所述铜金属薄膜或者所述包含铜金属的合金薄膜的上层和/或下层的金属阻挡层。

7.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括基板、依次形成在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述基板上形成有具有栅极凹槽的第一绝缘层，所述栅极形成于所述栅极凹槽内。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层和有源层上形成有具有源极凹槽和漏极凹槽的第二绝缘层，所述源极、漏极分别设于所述第二绝缘层的源极凹槽和漏极凹槽内。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅极和/或所述源极和漏极包括金属层或者金属导电复合层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属导电复合层包括铜金属薄膜或者包含铜金属的合金薄膜和至少一层位于所述铜金属薄膜或者所述包含铜金属的合金薄膜的上层和/或下层的金属阻挡层。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。