[发明专利]一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置的制备方法在审
| 申请号： | 201310637596.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887169A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;任娜;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置的制备方法；本发明的半导体装置，为一种改进的TMBS二极管；本发明的半导体装置，利用金属Cr作为刻蚀掩膜，在SiC漂移层表面形成深槽结构，湿法腐蚀使Cr掩膜线宽变窄，露出未刻蚀台面的两边，以此为注入掩膜对SiC漂移层表面进行Al离子注入，从而在台面两边形成P型注入区，该注入区与N型漂移区形成PN结，在大电流条件下该PN结参与导通，利用少子注入形成电导调制效应，使得该半导体装置具备抗浪涌电流能力。除此之外，该方法能够在沟槽底部同时形成P注入区，在器件的反向阻断状态下该P区能够保护沟槽底部，防止不理想的刻蚀表面形成电场集中，防止发生提前击穿，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提高 浪涌 电流 能力 半导体 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置的制备方法，其特征：阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极形成肖特基接触，阴极形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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