[发明专利]一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置的制备方法在审
| 申请号： | 201310637596.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887169A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;任娜;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提高 浪涌 电流 能力 半导体 装置 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置的制备方法，其特征：
阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极形成肖特基接触，阴极形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的器件，其中，所述器件的第一层半导体为SiC衬底。
3.如权利要求1所述的器件，其中，所述器件的第二层半导体为SiC漂移层。
4.如权利要求3所述的器件，其中，所述SiC漂移层的表面用RIE(ReactiveIonEtching)方法刻蚀形成深槽结构。
5.如权利要求4所述的器件，其中，所述沟槽与沟槽之间未刻蚀区域为台面结构。
6.如权利要求5所述的器件，其中，所述台面结构的两边注入Al离子形成P型注入区。
7.如权利要求4所述的器件，其中，所述沟槽底部注入Al离子形成P型注入区保护沟槽底部。
8.如权利要求4所述的器件，其中，所述沟槽底部和侧壁覆盖一层氧化层。
9.如权利要求5所述的器件，其中，所述台面结构上覆盖阳极金属形成肖特基接触。
10.如权利要求9所述的器件，其中，所述阳极金属延伸到沟槽中，覆盖在氧化层上面形成MOS势垒。
11.如权利要求1所述的器件，其中，所述阴极为Ni金属与碳化硅衬底背面形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
