[发明专利]一种具有异质结结构的双极型功率半导体器件在审
| 申请号： | 201310637564.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887333A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;陈思哲;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有异质结结构的双极型半导体装置，本发明的半导体装置具有可控的表面纵向或横向电流导通沟道，同时，电流垂直流过整个半导体器件；本发明的半导体装置可以工作在双极型导电状态具有较大的电流导通能力；本发明的半导体装置使用异质结结构取代传统的SiC PN结势垒，使器件具有较低的开启电压。相比于传统结构，本发明的半导体装置能够显著提高器件的电流导通能力，降低导通压降，为高压大容量的半导体装置制备提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 异质结 结构 双极型 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有异质结结构的双极型功率半导体装置，其特征：栅极电极；源极电极和漏极电极； 含有基于IV族化合物半导体碳化硅(SiC)的异质结结构，并与所述栅极电极，源极电极和漏极电极形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州恩能科技有限公司，未经杭州恩能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310637564.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
