[发明专利]一种具有异质结结构的双极型功率半导体器件在审
| 申请号： | 201310637564.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887333A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;陈思哲;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 异质结 结构 双极型 功率 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有异质结结构的双极型功率半导体装置，其特征：栅极电极；源极电极和漏极电极；
含有基于IV族化合物半导体碳化硅(SiC)的异质结结构，并与所述栅极电极，源极电极和漏极电极形成欧姆接触。
2.如权利1要求所述的器件，其中，表层半导体形成控制电流导通与关断的沟道。
3.如权利1要求所述的器件，其中，表层沟道的形成或是垂直型，或是平面型，沟道开通和关断的控制方式可以是结型场效应控制或者金属-绝缘层-半导体场效应控制。
4.如权利1要求所述的器件，其中，栅极电极和源极电极分别位于器件正面，漏极电极位于器件背面。
5.如权利1要求所述的器件，其中，导通过程中由电子和空穴两种导电粒子共同作用，为双极型器件。
6.如权利1要求所述的器件，其中，导电沟道和外延区域是同类半导体材料。
7.如权利1要求所述的器件，其中，衬底材料与外延层及器件沟道为异质半导体材料。
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