[发明专利]半导体激光元件有效
| 申请号： | 201310636851.0 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103855604B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 三好隆 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件，能够在使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中良好地限制光来降低FFP的脉动。半导体激光元件在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层，在基板与发光层之间从基板的一侧起依次具有：由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；由InGaN构成的第三氮化物半导体层；和由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，使峰值波长为480nm～550nm的激光进行振荡，且在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于所述基板的发光层，所述半导体激光元件的特征在于，在所述基板与所述发光层之间，从所述基板的一侧起依次具有：由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；由Al组成比大于所述第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；由InGaN构成，膜厚为100nm以上的第三氮化物半导体层；和由Al组成比大于所述第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于所述第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310636851.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种信息处理的方法及电子设备
- 下一篇：信息处理的方法及电子设备
