[发明专利]半导体激光元件

权利要求书

1.一种半导体激光元件，使峰值波长为480nm～550nm的激光进行振荡，且在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于所述基板的发光层，所述半导体激光元件的特征在于，

在所述基板与所述发光层之间，从所述基板的一侧起依次具有：

由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；

由Al组成比大于所述第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；

由InGaN构成，膜厚为100nm以上的第三氮化物半导体层；和

由Al组成比大于所述第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于所述第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第二氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的膜厚为100nm以上。

3.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一氮化物半导体层的膜厚为100nm以上。

4.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一氮化物半导体层的膜厚大于所述第二氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的膜厚。

5.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一氮化物半导体层的膜厚大于所述第二氮化物半导体层和所述第四氮化物半导体层的合计膜厚。

6.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述发光层为阱层，所述半导体激光元件还具有夹着所述阱层的势垒层，

所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的折射率低于所述势垒层的折射率。

7.一种半导体激光元件，使峰值波长为480nm～550nm的激光进行振荡，且在由AlGaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于所述基板的发光层，所述半导体激光元件的特征在于，

在所述基板与所述发光层之间，从所述基板的一侧起依次具有：

由Al组成比大于所述基板的AlGaN构成的第一氮化物半导体层；

由Al组成比大于所述第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；

由InGaN构成，膜厚为100nm以上的第三氮化物半导体层；和

由Al组成比大于所述第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于所述第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第二氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的膜厚为100nm以上。

9.根据权利要求7所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一氮化物半导体层的膜厚为100nm以上。

10.根据权利要求7所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一氮化物半导体层的膜厚大于所述第二氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的膜厚。

11.根据权利要求7所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一氮化物半导体层的膜厚大于所述第二氮化物半导体层和所述第四氮化物半导体层的合计膜厚。

12.根据权利要求7所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述发光层为阱层，所述半导体激光元件还具有夹着所述阱层的势垒层，

所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的折射率低于所述势垒层的折射率。