[发明专利]半导体激光元件

说明书

本发明提供一种半导体激光元件，能够在使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中良好地限制光来降低FFP的脉动。半导体激光元件在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层，在基板与发光层之间从基板的一侧起依次具有：由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；由InGaN构成的第三氮化物半导体层；和由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。

技术领域

本发明涉及半导体激光元件。

背景技术

在基板之上层叠了氮化物半导体层的半导体激光元件中，通过利用折射率小于活性层的层来夹着活性层，由此限制光（例如专利文献1以及2）。

专利文献1：JP特开2003－060314号公报

专利文献2：JP特开2007－214557号公报

在这样的使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，要求FFP（farfield pattern：远场图）的脉动的进一步降低。这样的脉动因基板中的光的泄漏而引起，为了降低脉动，只要降低在基板中漏掉的光即可。

发明内容

本发明的实施方式的半导体激光元件，

在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层，

在基板与发光层之间，从基板的一侧起依次具有：

由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；

由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；

由InGaN构成的第三氮化物半导体层；和

由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。

此外，本发明的另一实施方式的半导体激光元件，

在由AlGaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层，

在基板与发光层之间，从基板的一侧起依次具有：

由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；

由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；

由InGaN构成的第三氮化物半导体层；和

由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。

根据本发明，在使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，能够良好地限制光，来降低FFP的脉动。

附图说明

图1是说明本发明的一实施方式的示意性截面图。

图2是表示第一～第四氮化物半导体层的折射率的示意图。

图3是说明本发明的一实施方式中的变形例的示意性截面图。

图4是表示实施例1的半导体激光元件的折射率和电场强度之间的模拟结果的图表。

图5是表示比较例1的半导体激光元件的折射率和电场强度之间的模拟结果的图表。

图6是表示实施例1以及比较例1的半导体激光元件的折射率和电场强度之间的模拟结果的图表。

图7是表示实施例1的半导体激光元件的垂直方向FFP⊥的图表。