[发明专利]一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法有效
| 申请号： | 201310616655.7 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103617954B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法，包含制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench‑RB‑IGBT。本发明提供的Trench‑RB‑IGBT的制备方法，在IGBT的背面刻蚀形成沟槽，芯片之间划片后的断面为垂直面，不会出现脆弱的尖角，因此相对现有方案更加坚固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 trench rb igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法，其特征在于，包含：制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成垂直沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench‑RB‑IGBT；其中，所述沟槽周期地形成于相邻的有效区之间，通过刻蚀深槽将耗尽区的弯曲部分截断，避免曲率效应引起的击穿电压不足，通过离子注入避免了耗尽区终止于材料断面而发生的表面漏 电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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