[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310616206.2 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103681986A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;杨天鹏;陈大旭;周德保;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 337000 江西省萍*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，该方法包括以下步骤：1）在H2气氛下，对衬底进行热处理；2)在N2、H2和NH3的混合气氛下，在热处理后的衬底上由下至上依次生长GaN缓冲层、GaN非掺杂层、掺硅元素的N型GaN掺杂层；3）在N2和NH3的混合气氛下，在所述掺硅元素的N型GaN掺杂层上生长GaN/InGaN/GaN量子阱发光层；4）在N2、H2和NH3的混合气氛下，采用2-5次脉冲的方式在所述GaN/InGaN/GaN量子阱发光层上生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，得到氮化镓基发光二极管外延片。本发明在制备氮化镓基发光二极管外延片的过程中，利用2-5次脉冲的方式生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，有效的提高了掺镁元素的P型GaN掺杂层中Mg的激活效率，从而提高发光二极管外延片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在H2气氛下，对衬底进行热处理；2)在N2、H2和NH3的混合气氛下，在热处理后的衬底上由下至上依次生长GaN缓冲层、GaN非掺杂层、掺硅元素的N型GaN掺杂层；3）在N2和NH3的混合气氛下，在所述掺硅元素的N型GaN掺杂层上生长GaN/InGaN/GaN量子阱发光层；4）在N2、H2和NH3的混合气氛下，采用2‑5次脉冲的方式在所述GaN/InGaN/GaN量子阱发光层上生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，得到氮化镓基发光二极管外延片。
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