[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置有效
申请号: | 201310606817.9 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103681659A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 徐文清;田慧;许晓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于显示技术领域,涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层,所述存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层,其中,所述第一极板与所述第二极板均采用金属材料形成,所述电介质层与所述栅绝缘层采用相同的材料形成。该阵列基板相比现有技术中阵列基板的制备方法,减少了两次构图工艺和一次离子注入工艺,简化了阵列基板的制作流程;同时,能提高阵列基板中存储电容CS的充电速度,同时提高显示装置的显示质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层,所述存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层,其特征在于,所述第一极板与所述第二极板均采用金属材料形成,所述电介质层与所述栅绝缘层采用相同的材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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