[发明专利]硅片正面保护方法有效
| 申请号： | 201310597829.X | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103794470B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;马清杰 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片保护的方法，包括以下步骤，提供一需要进行背面腐蚀的硅片，所述硅片正面形成有开口；制备一光刻胶将硅片正面区域完全覆盖；刻蚀去除部分光刻胶，在开口处形成剩余光刻胶，所述剩余光刻胶将所述开口完全覆盖；涂覆一层刻蚀保护涂层将暴露的硅片正面的开口上方的剩余光刻胶覆盖；对硅片背面进行腐蚀，腐蚀完成后去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶。本发明在进行硅片背面腐蚀工艺中，可很好的将沟槽予以密封，进而在进行背面腐蚀时不会对硅片正面造成损伤，同时去除后也不会在沟槽内形成残余物，不影响后续的沟槽或通孔的填充工艺，提高了产品良率及器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 正面 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片正面保护方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一需要进行背面腐蚀的硅片，所述硅片正面形成有开口；制备一光刻胶将所述硅片正面完全覆盖；刻蚀去除部分所述光刻胶，在开口处形成剩余光刻胶，所述剩余光刻胶将所述开口完全覆盖；涂覆一层刻蚀保护涂层将暴露的硅片正面及开口上方的剩余光刻胶予以覆盖；对硅片背面进行腐蚀，腐蚀完成后去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶；其中，所述光刻胶为具备盖孔能力的干膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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