[发明专利]硅片正面保护方法有效
| 申请号： | 201310597829.X | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103794470B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;马清杰 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 正面 保护 方法 | ||
1.一种硅片正面保护方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一需要进行背面腐蚀的硅片，所述硅片正面形成有开口；
制备一光刻胶将所述硅片正面完全覆盖；
刻蚀去除部分所述光刻胶，在开口处形成剩余光刻胶，所述剩余光刻胶将所述开口完全覆盖；
涂覆一层刻蚀保护涂层将暴露的硅片正面的开口上方及剩余光刻胶予以覆盖；
对硅片背面进行腐蚀，腐蚀完成后去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为具备盖孔能力的干膜。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用压印工艺或贴膜工艺将所述干膜覆盖在所述硅片的正面。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用光刻工艺去除部分光刻胶，具体包括以下步骤：
采用一具有光刻图案的掩膜板进行曝光显影工艺，去除部分光刻胶，在开口处形成的剩余光刻胶，所述剩余光刻胶以将开口完全覆盖。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用丝网印刷工艺或喷淋工艺于硅片正面制备一层刻蚀保护涂层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺 去除所述刻蚀保护涂层和所述剩余光刻胶。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，采用NMP溶液去除所述刻蚀保护涂层。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，采用丙酮溶液去除所述剩余光刻胶。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片具有沟槽或通孔，所述有沟槽或通孔在硅片正面形成有开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
