[发明专利]一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201310590102.9 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104658907B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;卢烁今;田晓丽;滕渊 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，在制作逆阻型绝缘栅型双极晶体管的过程中，采用键合工艺将第一半导体基片和第二半导体基片键合到一起，提高了键合后的半导体基片的机械强度，降低了键合后的半导体基片在制作过程中碎片的概率，进而提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 绝缘 双极晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：S1、提供第一导电类型掺杂的第一半导体基片，所述第一半导体基片的背面形成有第二导电类型掺杂层和多个第一隔离槽；S2、提供第二导电类型掺杂的第二半导体基片，并采用键合工艺将所述第二半导体基片的正面与所述第一半导体基片的背面键合；S3、采用表面减薄工艺将所述第一半导体基片的正面减薄，在所述第一隔离槽至所述第一半导体基片的正面之间形成第二导电类型掺杂区域，所述第二导电类型掺杂区域包围第一导电类型掺杂区域；S4、在所述第一半导体基片的正面形成正面结构，以及在所述第二半导体基片的背面形成背面结构后划片得到多个逆阻型绝缘栅型双极晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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