[发明专利]一种开孔的清洗方法有效
| 申请号： | 201310583029.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104658963B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种开孔的清洗方法。在所述开孔的清洗方法中，包括将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置；之后，向所述晶圆的表面喷涂清洗液，并使所述晶圆在其所在的平面上，绕中心旋转。其中，将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置，并向所述晶圆的表面喷涂清洗液时，倾斜的表面使得清洗液更容易进入开孔内部，之后使得所述晶圆在其倾斜的平面上绕中心旋转，从而使得在开孔内部的清洗液在开孔中翻动，提高开孔侧壁的清洗效率；同时晶圆在倾斜的平面上绕中心旋转，不断实现开孔内部，以及晶圆表面的清洗液更替，从而提高晶圆表面以及开孔的清洗效率。 | ||
| 搜索关键词： | 开孔 晶圆 清洗液 中心旋转 清洗 表面喷涂 表面形成 角度倾斜 晶圆表面 清洗效率 开孔侧壁 翻动 更替 | ||
【主权项】：
1.一种开孔的清洗方法，其特征在于，包括：将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置，所述第一角度为5～10度；向所述晶圆的表面喷涂清洗液，所述清洗液的喷涂流量为50～300ml/min；使所述晶圆在其所在的平面上，绕中心旋转，所述晶圆的转速为1000～5000转/分钟；在所述晶圆清洗过程中，由第二角度至所述第一角度之间持续调整晶圆与水平面的倾斜角度；其中，一次所述晶圆由第二角度调整至所述第一角度的周期为5～20秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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