[发明专利]一种开孔的清洗方法

说明书

本发明提供一种开孔的清洗方法。在所述开孔的清洗方法中，包括将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置；之后，向所述晶圆的表面喷涂清洗液，并使所述晶圆在其所在的平面上，绕中心旋转。其中，将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置，并向所述晶圆的表面喷涂清洗液时，倾斜的表面使得清洗液更容易进入开孔内部，之后使得所述晶圆在其倾斜的平面上绕中心旋转，从而使得在开孔内部的清洗液在开孔中翻动，提高开孔侧壁的清洗效率；同时晶圆在倾斜的平面上绕中心旋转，不断实现开孔内部，以及晶圆表面的清洗液更替，从而提高晶圆表面以及开孔的清洗效率。

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，尤其是涉及一种开孔的清洗方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的发展，集成电路的集成度不断增加，为此，现有集成电路制造工艺中，通过多层的金属互连线结构设计，从而在有限的单位面积连线空间内，提高集成电路中器件的集成度。

所述多层金属互连线结构包括，堆叠于半导体衬底表面的多层金属层，以及相邻金属层之间的介质层。其中，不同两层金属层之间，通过贯穿该两层金属层间对应介质层的通孔，并向所述通孔内填充金属材料而形成的插塞实现电连接。

其中，在插塞的形成工艺中，在通孔形成后，需要对通孔进行清洗，以清除在刻蚀工艺中附着于通孔侧壁以及底部的副产物，从而提高后续在通孔中形成的插塞的性能。

随着集成电路集成度不断提高，用于填充金属以形成插塞的连接孔的尺寸不断减小，而深度不断增加，即通孔的深宽比（AR）不断增加。如在45nm制程的集成电路中，通孔的深宽比已大于8:1。且可预见地，随着半导体制程的不断减小，通孔的深宽比必然不断增大。而随着通孔的深宽比的不断增加，导致对于通孔的清洗工艺越发困难，通孔清洗质量的降低，直接影响后续形成插塞的质量，进而影响最终形成的集成电路的性能。如若通孔清洗不净，直接影响向所述通孔内填充的金属的纯度，进而影响插塞的导电性，从而影响最终形成的集成电路的响应速度。

为此，如何提高通孔的清洗质量是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种开孔的清洗方法，以提高晶圆中通孔的清洗质量。

为解决上述问题，本发明提供一种开孔的清洗方法，包括：

将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置；

向所述晶圆的表面喷涂清洗液；

使所述晶圆在其所在的平面上，绕中心旋转。

可选地，所述第一角度大于0度，小于等于10度。

可选地，所述第一角度为5～10度。

可选地，所述晶圆内的开孔的深宽比大于或等于5。

可选地，所述晶圆的转速为1000～5000转/分钟。

可选地，所述清洗液的喷涂流量为50～300ml/min。

可选地，在所述晶圆清洗过程中，由第二角度至所述第一角度之间持续调整晶圆与水平面的倾斜角度。

可选地，一次所述晶圆由第二角度调整至所述第一角度的周期为5～20秒。

可选地，在所述晶圆清洗过程中，间隔调整所述晶圆与水平面的倾斜角度为第二角度和第一角度。

可选地，一次所述晶圆在第一角度或是在第二角度时旋转的周期为10～30秒。

可选地，所述晶圆在第一角度的平面上旋转的时间，与在第二角度的平面上旋转的时间比值为0.5～2。

可选地，所述第二角度小于第一角度。

可选地，所述第二角度为0～5度。