[发明专利]一种开孔的清洗方法有效
| 申请号： | 201310583029.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104658963B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开孔 晶圆 清洗液 中心旋转 清洗 表面喷涂 表面形成 角度倾斜 晶圆表面 清洗效率 开孔侧壁 翻动 更替 | ||
【权利要求书】：
1.一种开孔的清洗方法，其特征在于，包括：
将表面形成有开孔的晶圆相对于水平面呈第一角度倾斜放置，所述第一角度为5～10度；
向所述晶圆的表面喷涂清洗液，所述清洗液的喷涂流量为50～300ml/min；
使所述晶圆在其所在的平面上，绕中心旋转，所述晶圆的转速为1000～5000转/分钟；
在所述晶圆清洗过程中，由第二角度至所述第一角度之间持续调整晶圆与水平面的倾斜角度；其中，一次所述晶圆由第二角度调整至所述第一角度的周期为5～20秒。
2.如权利要求1所述的开孔的清洗方法，其特征在于，所述晶圆内的开孔的深宽比大于或等于5。
3.如权利要求1所述的开孔的清洗方法，其特征在于，在所述晶圆清洗过程中，间隔调整所述晶圆与水平面的倾斜角度为第二角度和第一角度。
4.如权利要求3所述的开孔的清洗方法，其特征在于，一次所述晶圆在第一角度或是在第二角度时旋转的周期为10～30秒。
5.如权利要求4所述的开孔的清洗方法，其特征在于，所述晶圆在第一角度的平面上旋转的时间，与在第二角度的平面上旋转的时间比值为0.5～2。
6.如权利要求1或3所述的开孔的清洗方法，其特征在于，所述第二角度小于第一角度。
7.如权利要求6所述的开孔的清洗方法，其特征在于，所述第二角度为0～5度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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