[发明专利]快闪存储器和快闪存储器的制作方法

摘要

一种快闪存储器和快闪存储器的制作方法，其中快闪存储器的制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、浮栅导电层以及掩膜层；图形化所述掩膜层，依次刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成沟槽；形成填充满所述沟槽的隔离层；去除所述掩膜层；在所述浮栅导电层表面形成侧墙，且所述侧墙位于隔离层侧壁；以所述侧墙为掩膜，刻蚀去除部分厚度的浮栅导电层形成凹槽；去除所述侧墙；在所述隔离层和浮栅导电层表面形成栅间介质层；在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层。本发明形成的快闪存储器的耦合率高，降低工作电压和功耗，优化快闪存储器的电学性能。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、位于隧穿介质层表面的浮栅导电层以及位于浮栅导电层表面的掩膜层；图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成沟槽；形成填充满所述沟槽的隔离层；去除所述掩膜层；在所述浮栅导电层表面形成侧墙，所述侧墙位于隔离层侧壁，且所述侧墙暴露出浮栅导电层部分表面；以所述侧墙为掩膜，刻蚀去除部分厚度的浮栅导电层，在浮栅导电层中形成凹槽；去除所述侧墙；形成栅间介质层，且所述栅间介质层覆盖隔离层和具有凹槽的浮栅导电层表面；在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层，且所述控制栅导电层填充满所述凹槽。