[发明专利]快闪存储器和快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、位于隧穿介质层表面的浮栅导电层以及位于浮栅导电层表面的掩膜层；

图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成沟槽；

形成填充满所述沟槽的隔离层；

去除所述掩膜层；

在所述浮栅导电层表面形成侧墙，所述侧墙位于隔离层侧壁，且所述侧墙暴露出浮栅导电层部分表面；

以所述侧墙为掩膜，刻蚀去除部分厚度的浮栅导电层，在浮栅导电层中形成凹槽；

去除所述侧墙；

形成栅间介质层，且所述栅间介质层覆盖隔离层和具有凹槽的浮栅导电层表面；

在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层，且所述控制栅导电层填充满所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述侧墙的形成过程为：形成覆盖浮栅导电层的侧墙膜；对所述侧墙膜进行回刻蚀工艺，形成位于浮栅导电层表面的侧墙，且所述侧墙位于隔离层侧壁。

4.根据权利要求3所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀进行所述回刻蚀工艺，所述干法刻蚀的具体工艺参数为：刻蚀气体包括CF₄、CHF₃和Ar，CHF₃流量为65sccm至200sccm，CF₄的流量为30sccm至50sccm，Ar的流量为50sccm至70sccm，腔室压强为0毫托至5毫托，电源功率为200瓦至1000瓦，偏置电压为200V至1000V。

5.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度的浮栅导电层。

6.根据权利要求5所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的具体工艺参数为：刻蚀气体为CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、C₄F₈或C₅F₈中的一种或几种，刻蚀气体流量为100sccm至500sccm，腔室压强为0毫托至10毫托，电源功率为200瓦至1000瓦，偏置电压为0伏至1000伏。

7.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，在形成所述浮栅导电层之后，还包括步骤：去除部分厚度的隔离层，暴露出浮栅导电层的侧壁。

8.根据权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离层，且隔离层顶部高于隧穿介质层上表面。

9.根据权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，去除部分厚度的隔离层的工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。

10.根据权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除部分厚度的隔离层时，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为稀释的氢氟酸。

11.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述隧穿介质层的材料为氧化硅。

12.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述浮栅导电层或控制栅导电层的材料为多晶硅。

13.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述栅间介质层为氧化物层、氮化物层和氧化物层的叠层结构。

14.根据权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅。