[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310572119.1 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103824886B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：多层膜，其中层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜；栅电极；以及栅极绝缘膜，其中，所述多层膜隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极重叠，所述多层膜具有如下形状，所述形状具有所述氧化物半导体膜的底面与所述氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及所述氧化物膜的底面与所述氧化物膜的侧面所呈的第二角度，所述第一角度为锐角且小于所述第二角度，并且，所述第一角度及所述第二角度分别为10°以上且小于90°。
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