[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 201310571587.7 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103872120A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 谷口理;竹内克彦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有优异的开关特性的半导体装置，其包括沟道层；和高电阻层，它设置在所述沟道层上，并且由导带位置比形成所述沟道层的半导体高的高电阻的半导体形成。所述半导体装置包括第一导电型的低电阻区域，它设置在所述高电阻层的表面层上，并且由包含第一导电型杂质的半导体形成。所述半导体装置包括：源极和漏极，它们与所述高电阻层连接，并且在所述低电阻区域夹在其间的位置；栅绝缘膜，它设置在所述低电阻区域上；和栅极，它经由所述栅绝缘膜设置在所述低电阻区域上。所述半导体装置包括电流阻挡区域，它形成在所述低电阻区域和所述源极之间以及所述低电阻区域和所述漏极之间。本发明还提供制造半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：沟道层；高电阻层，它设置在所述沟道层上，并且由导带位置比形成所述沟道层的半导体高的高电阻的半导体形成；第一导电型的低电阻区域，它设置在所述高电阻层的表面层上，并且由包含第一导电型杂质的半导体形成；源极和漏极，它们与所述高电阻层连接，并且在所述低电阻区域夹在其间的位置；栅绝缘膜，它设置在所述低电阻区域上；栅极，它经由所述栅绝缘膜设置在所述低电阻区域上；和电流阻挡区域，它形成在所述低电阻区域和所述源极之间以及所述低电阻区域和所述漏极之间。
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