[发明专利]包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法

摘要

一种包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法，该结构包含半导体衬底、绝缘体上半导体区以及主体区。该绝缘体上半导体区包含第一半导体区、设于该半导体衬底与该第一半导体区之间的电介质层、以及包含设于该第一半导体区中的有源区的第一晶体管。该电介质层提供该第一半导体区与该半导体衬底之间的电气隔离。该主体区包含直接设于该半导体衬底上的第二半导体区。

主权项

一种半导体结构，包含：半导体衬底；绝缘体上半导体区，该绝缘体上半导体区包含第一半导体区、设于该半导体衬底与该第一半导体区之间的电介质层，以及包含设于该第一半导体区中的有源区的第一晶体管，该电介质层提供该第一半导体区与该半导体衬底之间的电气隔离；以及主体区，该主体区包含直接设于该半导体衬底上的第二半导体区，其中，该第二半导体区包含第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分直接形成在该半导体衬底上，该第二部分形成在该第一部分上，该第三部分形成在该第二部分上，该第二部分包含不同于该第一部分的材料，该第二部分包含一种或多种III‑V半导体材料，且该第三部分具有上表面，该上表面的至少一部分与该第一半导体区的上表面实质在同一个平面。