[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310560022.9 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103560111A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 严允晟;金熙哲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括：通过构图工艺，形成位于第一区域的半导体层和源漏电极层的图案，所述第一区域为预定用于形成薄膜晶体管的源漏电极的区域；在保留有第一区域的源漏电极层的基板上形成透明导电层；通过构图工艺，形成第一透明电极和延伸部的图案；所述延伸部延伸到所述第一区域的预定形成源电极的第一位置的上方；通过构图工艺，去除所述第一区域中所述第一位置和第二位置之外的源漏电极层，形成源漏电极图案，所述第二位置为预定形成漏电极的位置。本发明改善了画面品质。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：通过构图工艺，形成位于第一区域的半导体层和源漏电极层的图案，所述第一区域为预定用于形成薄膜晶体管的源漏电极的区域；在保留有第一区域的源漏电极层的基板上形成透明导电层；通过构图工艺，形成第一透明电极和延伸部的图案；所述延伸部延伸到所述第一区域的预定形成源电极的第一位置的上方；通过构图工艺，去除所述第一区域中所述第一位置和第二位置之外的源漏电极层，形成源漏电极图案，所述第二位置为预定形成漏电极的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
