[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺，形成位于第一区域的半导体层和源漏电极层的图案，所述第一区域为预定用于形成薄膜晶体管的源漏电极的区域；

在保留有第一区域的源漏电极层的基板上形成透明导电层；

通过构图工艺，形成第一透明电极和延伸部的图案；所述延伸部延伸到所述第一区域的预定形成源电极的第一位置的上方；

通过构图工艺，去除所述第一区域中所述第一位置和第二位置之外的源漏电极层，形成源漏电极图案，所述第二位置为预定形成漏电极的位置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

通过构图工艺，在衬底基板上形成栅线、栅极和栅绝缘层的图案；

在栅绝缘层上依次形成半导体层和源漏电极层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，构成薄膜晶体管的所述栅极、源电极、漏电极和半导体层位于所述栅线所在的区域内。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅极与所述栅线一体形成。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺，形成位于第一区域的半导体层和源漏电极层的图案的过程中，还形成位于第二区域的源漏电极层的图案，所述第二区域为预定用于形成数据线的区域。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺，形成第一透明电极和一延伸部的图案过程中，还形成位于所述第二位置和第二区域的所述透明导电层的图案。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成有源漏电极的基板上形成保护层；

通过构图工艺，在保护层上形成第二透明电极的图案。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极，所述延伸部从所述像素电极延伸到所述第一区域的预定形成源电极的第一位置的上方。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极，所述延伸部与所述公共电极电隔离，所述延伸部与像素电极电连接。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管和延伸部，所述延伸部位于薄膜晶体管漏极上方，且所述延伸部在所述薄膜晶体管栅极上的正投影，位于所述薄膜晶体管漏极在所述薄膜晶体管栅极的正投影内。

11.一种显示装置，包括权利要求10所述的阵列基板。