[发明专利]具有交错的焊盘线结构的半导体器件无效

专利信息
申请号: 201310553515.X 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN103811450A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 曹英珍 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/49
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种具有交错的焊盘线结构的半导体器件。一种半导体器件,包括设置在基底上的第一层到第n层的多条第一金属线以及设置在第一金属线上并包括第n+1层的金属材料的多条焊盘线。焊盘线以沿第一方向交错的形状布置并具有沿第二方向纵长延伸的矩形形状。多条附加布线沿第一方向设置在附加布线区域中并包括第n+1层的金属材料。附加布线区域设置在焊盘线之间。多个焊盘可与焊盘线的上表面接触。焊盘具有矩形形状,所述矩形形状具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的大于第一宽度的第一长度。
搜索关键词: 具有 交错 焊盘线 结构 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:设置在基底上的第一层到第n层的多条第一金属线,其中,n为自然数;多条焊盘线,设置在第一金属线上并包括第n+1层的金属材料,焊盘线在第一方向上以交错的形状布置并具有沿与第一方向垂直的第二方向纵长延伸的矩形形状;多条附加布线,沿第一方向布置在附加布线区域中并包括第n+1层的金属材料,附加布线区域设置在焊盘线之间;多个焊盘,与焊盘线的上表面接触,焊盘具有矩形形状,所述矩形形状具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的大于第一宽度的第一长度。
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