[发明专利]半导体存储器件在审
申请号: | 201310547253.6 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN103811494A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 李宰圭;金昌圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/105 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组,每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:在一个单元阵列块中的多个单位单元,沿行和列二维地布置,所述单位单元被分为多个单元子组,每个所述单元子组包括组成多个所述行的所述单位单元,每个所述单位单元包括选择元件和数据存储部;字线,连接到组成每个所述列的所述单位单元的所述选择元件的栅电极;多条位线,连接到组成所述行的所述单位单元的所述数据存储部,所述位线交叉所述字线;以及在每个所述单元子组中的源极线,所述源极线电连接到在每个所述单元子组中包括的所述单位单元的所述选择元件的源极端子,所述源极线与所述位线中的一条被选位线相邻,其中所述源极线平行于所述位线;以及其中所述源极线和所述被选位线之间的距离等于彼此相邻的所述位线之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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