[发明专利]氮化物系半导体发光组件有效
| 申请号： | 201310538192.7 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103545413A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 黄国钦;潘锡明;潘宏立;黄政国;郑惟纲;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 江苏璨扬光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 225101 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物系半导体发光组件，该发光组件包含一发光外延层、一P型电极及一N型电极，该P型电极及该N型电极设于该发光外延层之上，本发明的特征在于该N型电极设于该P型电极内侧，该P型电极沿着该发光外延层的边缘向该N型电极呈辐射状延伸，该N型电极沿着该P型电极的内侧向内呈辐射状延伸。本发明的该发光组件通过特殊的电极图案设计，以增加该发光组件的发光面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 组件 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述氮化物系半导体发光组件系包含：一发光外延层，所述发光外延层包含：一N型半导体层；一发光层，设于所述N型半导体层之上；以及一P型半导体层，设于所述发光层之上；一P型电极，设于所述发光外延层的所述P型半导体层之上，并与所述发光层相对；以及一N型电极，设于所述发光外延层的所述N型半导体层之上，并位于所述P型电极的内侧，所述N型电极包含至少一条状结构及至少一凸状结构；其中，所述N型电极的所述条状结构靠近所述发光外延层的一边与所述发光外延层间的距离小于所述N型电极的所述凸状结构靠近所述发光外延层的一边与所述发光外延层间的距离。
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