[发明专利]具有增加光取出效率的交流发光装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310531580.2 申请日: 2009-04-07
公开(公告)号: CN103560195A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 潘锡明;黄国钦;冯辉庆;朱胤丞;丁逸圣 申请(专利权)人: 江苏璨扬光电有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L25/075
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 225101 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有增加光取出效率的交流发光装置,在一基板设置一第一发光二极管与一第二发光二极管,所述基板具有复数凹槽,且第一发光二极管与第二发光二极管之间具有一分隔空间,使发光二极管之间绝缘,而第一发光二极管与第二发光二极管之间通过一导体相连接,以使所述交流发光装置可完全使用交流电发光。本发明还公开了一种所述交流发光装置的制造方法。本发明可以籍由基板所具有的复数凹槽将光线反射至侧面,以解决发光层照射至基板的光线无法完全往发光二极管的侧面传播,降低其发光效率的问题,提高第一发光二极管与第二发光二极管的光取出效率,提高交流发光装置的发光效能。
搜索关键词: 具有 增加 取出 效率 交流 发光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具有增加光取出效率的交流发光装置,其特征在于,包括:一基板,其具有复数凹槽;一第一发光二极管,设置于所述复数凹槽上;一第二发光二极管,设置于所述复数凹槽上,所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间;以及一导体,其耦接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管,所述第一发光二极管与所述第二发光二极管可依一交流电发光;其中,所述第一发光二极管包含:一外延堆栈层,设置于所述复数凹槽上;一N型半导体层,设置于所述外延堆栈层上;一发光层,设置于所述N型半导体层上;一P型半导体层,设置于所述发光层上;一第一电极,设置于所述N型半导体层上,所述第一电极耦接所述导体;以及一第二电极,设置于所述P型半导体层上。
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